TAG:NAND
AI涨价影响波及利基型存储：原厂停产致结构性缺货，SLC NAND年内预计再涨120%
本文探讨了AI时代下利基型存储市场的价格异动。由于三星等原厂停产旧制程产线，将产能转向HBM等高端AI存储，导致SLC NAND和MLC NAND供应结构性短缺，价格大幅上涨。MLC NAND已累计涨280%，SLC NAND预计年内再涨120%。文章分析了工控、车用等领域需求上升的趋势，以及供需失衡对市场的影响，为投资者提供行业洞察。
0 
0 
存储芯片短缺持续，国内产业链深度受益
文章聚焦AI算力与云厂商资本开支扩张引发的全球存储芯片供应短缺，DRAM、NAND、HBM价格二季度或继续大涨。SK海力士、三星业绩与股价走强印证景气上行，A股存储产业链公司一季度营收净利普遍高增，模组、利基存储、封测与材料等环节深度受益，并加速布局企业级与前沿技术。
全球内存短缺持续 DRAM价格大幅飙升
全球DRAM及NAND闪存价格因供需失衡大幅上涨，部分产品涨幅超130%。市场预测供应短缺将持续至2027年下半年，主要厂商扩产仍难满足需求。HBM内存市场转向利润率竞争，价格下跌可能性低。
存储芯片涨价助推佰维存储业绩，前两月净利润暴增超九倍
佰维存储发布2026年前两月业绩预告，预计营收40亿至45亿元、净利润15亿至18亿元，同比大幅增长并扭亏为盈。公司称受DRAM/NAND价格上涨、AI算力与国产替代驱动的景气周期影响显著，并加码芯片设计与先进封测，AI眼镜等端侧需求带来增量。
内存涨价或推高手机售价 记者实地调查
记者走访小米、华为、荣耀等门店发现，内存与存储芯片多季度涨价已推升PC等产品价格，手机端虽暂未普遍接到涨价通知，但新机型存在上调可能，消费者提前购买与观望促销的博弈加剧。IDC预测成本压力将抬升均价并压制2026年手机与PC出货量，市场格局或被重塑。
存储芯片持续上涨 DRAM或短期见顶 NAND供需失衡持续
本文分析了2024年2月存储芯片市场的价格动态，指出DRAM和NAND价格持续上涨但前景分化。DRAM价格创历史新高后可能短期见顶并趋于稳定，而NAND因AI及汽车应用需求旺盛，供需失衡将持续，价格有望在下半年保持上涨趋势。
铠侠北美市场存储芯片价格上调50%
日本存储巨头铠侠宣布从2026年第一季度起对北美客户提价约50%，此举被视为NAND存储芯片行业的重大利好信号。文章分析了提价背后的供需紧张、行业盈利能力改善以及各大机构对三星、SK海力士等厂商的积极预期，揭示了AI驱动下存储芯片市场进入“超级周期”的趋势。
闪迪股价或再涨50% 高盛上调预期
闪迪股价一年飙升超17倍后，华尔街分析师继续看好其前景，伯恩斯坦给出1000美元目标价，意味着还有50%上涨空间。强劲财报显示第二财季营收超预期，AI需求推动NAND闪存结构性上涨，毛利率持续提升，供应紧张支撑定价权。
