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“存储双雄”再度暴跌 韩国央行称AI驱动的芯片超级周期将持续
韩国央行发布报告驳斥芯片周期见顶担忧，称AI驱动的半导体超级周期仍将持续，市场供不应求，供应扩张缓慢。尽管三星电子和SK海力士股价大幅暴跌，但央行认为本轮周期由AI预期驱动，将长期延续。主要投行预测市场至少明年保持强劲。
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AI热潮推动下，业内人士称HBM4价格明年或将翻倍
文章指出，在AI需求爆发、HBM4工艺复杂、良率偏低及产能受限等因素推动下，HBM价格到2027年或翻倍。三星、SK海力士和美光通过长期协议锁定供应，或进一步加剧中小买家采购压力与存储芯片市场紧张局面。
美光93亿美元广岛扩建项目动工，预计2028年下半年出货HBM
美光科技正式启动日本广岛工厂93亿美元（1.5万亿日元）扩建项目，重点生产高带宽存储器（HBM）等AI关键存储芯片，预计2028年下半年出货。日本政府累计提供约7750亿日元补贴支持。该项目将满足人工智能时代对先进内存的强劲需求，提升芯片能效与数据传输效率，并强化日本半导体供应链及经济安全战略。
产能告急，三星拟在韩国光州扩建先进半导体封装厂
随着AI相关芯片需求爆发式增长，三星电子产能严重告急。李在镕会长宣布计划在韩国光州新建先进半导体封装工厂，以扩张AI芯片产能。同时，三星正加大HBM高带宽内存投入，挑战SK海力士市场主导地位，已为英伟达、AMD、谷歌等巨头提供AI芯片，并率先推出12层HBM4E样品。此外，公司还将在多地布局机器人、生物医药、电池及半导体基板业务，打造多元化产业帝国，抢占未来科技制高点。
大模型平台与存储厂商深度绑定将产生冲击波
AI大模型平台如Anthropic与存储厂商美光等深度绑定，通过产品供应、技术合作和资本投资，将内存和存储提升到战略核心。这标志着AI基础设施竞争从算力延伸到内存，解决高带宽内存（HBM）等关键瓶颈，旨在降低AI模型训练和推理成本，可能重塑市场竞争格局，并为存储厂商带来技术优化和市场份额机遇。
微软CEO呼吁打破AI巨头垄断；三星电子拟扩大HBM销售、推进长期供货协议策略
本文报道了科技行业的三大动态：微软CEO纳德拉呼吁打破AI巨头垄断，倡导转向更便宜的模型和用户选择权；三星电子计划扩大HBM销售并推进长期供货协议，以应对供应短缺；闪迪披露新专利，探索将NAND闪存与计算芯片堆叠，缓解HBM压力。这些内容揭示了AI和存储器市场的竞争格局、供应链策略及技术创新趋势。
闪迪披露3D堆叠专利揭示闪存算力一体化趋势
闪迪披露一项3D堆叠专利，探索将NAND闪存直接集成到计算芯片内部，以缓解HBM供应紧张、容量受限和延迟问题。该方案基于CBA技术，让HBM与NAND分工协作，结合HBM高带宽和NAND大容量优势，旨在提升数据传输效率、降低成本和功耗，揭示了闪存与算力一体化的趋势，但商业化仍面临封装、散热等挑战。
AI热潮催生芯片需求，三星考虑新建先进芯片封装厂
三星考虑在韩国光州新建先进半导体封装厂，以加码AI热潮下持续升温的芯片需求。此举旨在强化HBM等高端内存与先进封装能力，提升在AI芯片供应链中的竞争力，并与SK海力士展开更激烈角逐。
黄仁勋促成英伟达与SK海力士达成合作
英伟达与SK海力士宣布多年技术合作协议，共同推动全球AI数据中心下一代内存发展。该合作旨在保障先进内存供应，应对开发周期和制造挑战，支持AI超级计算机等平台开发，并稳定供应链以应对存储短缺问题。黄仁勋访韩期间强调供应链瓶颈，此合作有助于促进AI技术创新和行业稳定。
英伟达与SK海力士宣布共同开发下一代AI内存
英伟达与SK海力士宣布建立多年期技术合作，共同开发下一代AI内存，以支持英伟达的Vera Rubin AI超级计算机、RTX Spark PC等平台。合作将AI技术应用于半导体芯片设计与制造，加速芯片仿真和光刻计算工作流，并推动晶圆厂的数字孪生和自主化运营。这一举措有助于缓解全球AI产业中HBM内存的供需紧张，促进AI算力硬件的发展和性能提升。
TrendForce：2027年内存价格将翻倍上涨
TrendForce集邦咨询最新研究预测，由于DRAM供不应求和HBM制造难度高，2027年内存价格将大幅上涨。文章分析了2025-2027年市场趋势，强调AI芯片如NVIDIA Rubin和Google TPU推动HBM需求增长，原厂将调整产能配置以维持定价主导权，为消费者和行业提供重要参考，预示着内存成本可能持续上升。
华尔街顶尖基金经理：内存芯片供应短缺情况下SK海力士将继续受益
华尔街顶尖科技基金经理投资SK海力士，押注全球内存芯片供应短缺将持续，推动公司受益。文章分析了SK海力士在HBM芯片市场的主导地位，预计通过长期合同重定价和供需错配实现爆发式增长，并探讨了存储芯片行业周期变化及股票估值吸引力。
存储芯片产业超级周期能走多远
本文探讨了在人工智能热潮推动下，存储芯片产业进入的“超级周期”。文章分析了AI需求如何导致高端存储芯片如HBM需求激增，推动三星、美光等企业市值突破万亿美元，同时讨论了行业周期性风险、扩产可能导致的供过于求，以及出口管制等外部因素对周期持续性的影响，提供了对存储芯片产业未来走势的深入见解。
三星电子开发新型封装技术 内存堆叠数量可翻1.5倍 HBM有望用于手机
三星电子正在开发名为‘多层堆叠FOWLP’的新型HBM封装技术，旨在将高带宽内存引入智能手机和平板电脑等移动设备。该技术通过改进铜柱堆叠和扇出型封装，解决尺寸和功耗限制，实现内存堆叠数量增加1.5倍，带宽提升15-30%，从而增强移动设备的AI处理能力。尽管量产可能滞后，但这项技术有望推动高端AI智能手机市场发展，并带动硬件升级和产业链价值提升。
存储芯片掀涨价潮，AI需求成为关键变量
全球存储芯片龙头股价创新高，市场面临15年来最严重供应短缺。AI算力需求成为本轮涨价关键驱动，高端AI系统对高速存储容量和带宽提出更高要求。专家分析供需缺口原因、AI时代存储新需求及缓解短缺的技术路径，指出存储供给实质性缓解仍需时间。
