TAG:3D堆叠

闪迪披露3D堆叠专利揭示闪存算力一体化趋势

闪迪披露3D堆叠专利揭示闪存算力一体化趋势

闪迪披露一项3D堆叠专利,探索将NAND闪存直接集成到计算芯片内部,以缓解HBM供应紧张、容量受限和延迟问题。该方案基于CBA技术,让HBM与NAND分工协作,结合HBM高带宽和NAND大容量优势,旨在提升数据传输效率、降低成本和功耗,揭示了闪存与算力一体化的趋势,但商业化仍面临封装、散热等挑战。

2026-06-22 16:42
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OpenAI押注200亿美元打造“迄今为止最大”AI芯片,片上SRAM进入主流视野

OpenAI押注200亿美元打造“迄今为止最大”AI芯片,片上SRAM进入主流视野

本文聚焦OpenAI与Cerebras达成超200亿美元合作,解析其“去英伟达”战略下押注晶圆级巨型AI芯片WSE-3的逻辑。文章重点讨论片上SRAM在提升带宽、降低数据搬运瓶颈中的优势,以及3D堆叠技术如何缓解SRAM面积与成本限制,展望AI推理硬件新路径。

2026-04-19 21:44
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半导体设备迎AI红利 工艺升级助推订单增长

半导体设备迎AI红利 工艺升级助推订单增长

在AI算力需求驱动下,存储行业景气度持续向上传导至半导体设备环节。3D NAND与HBM推动刻蚀、薄膜沉积等设备需求激增,先进制程升级带动设备投资上升,头部企业订单爆发,行业迎来技术迭代与产能扩张双轮驱动。

2026-03-28 20:51
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黄仁勋将发布突破性新芯片

黄仁勋将发布突破性新芯片

文章探讨了黄仁勋在NVIDIA GTC大会上可能推出的全新推理芯片,重点分析了其可能采用Groq的LPU技术及3D堆叠方案,以提升AI推理效率和性能。同时,文章还讨论了该技术对行业和供应链的影响。

2026-03-11 15:32
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