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新工艺实现多层单晶硅电路的垂直集成
美国伊利诺伊大学研究团队开发出一种新工艺，在严格热预算限制下实现多层高性能单晶硅电路的垂直集成。该工艺采用超薄硅纳米薄膜低温转移和‘无结’晶体管设计，解决了传统制造中高温破坏下层电路的问题，成功制造出三层堆叠电路，良率高达98%，性能与标准硅器件相当。这项突破为延续摩尔定律和芯片三维集成提供了创新方向。
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