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美国芯片学者解读华为“韬定律”：5年后或可实现等效1.4纳米技术，暴露先进芯片局限
华为在IEEE国际电路与系统研讨会上发布'韬定律'，预计到2031年实现等效1.4纳米制程的芯片密度，以应对摩尔定律的局限性。美国顶尖学者Andrew B. Kahng解读该定律，强调后摩尔时代需从系统价值、EDA设计和3D集成等多维度协同优化，而非仅靠晶体管缩小，为芯片产业指明新发展方向。
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专访全球顶尖芯片学者IEEE会士Andrew B. Kahng：韬τ定律挑战传统半导体路线 差距小于外界想象
本文专访了全球顶尖芯片学者、IEEE会士Andrew B. Kahng，深入解读华为提出的“韬（τ）定律”。该定律被视为对传统摩尔定律的挑战，强调通过系统价值提升而非仅缩小晶体管尺寸来推动半导体发展。文章探讨了后摩尔时代的优化方向，包括全栈协同优化、3D集成和EDA技术的重要性，为行业未来提供了关键见解。
中国团队取得重要突破 相关成果将为芯片技术自主可控提供关键材料
本文介绍国防科技大学与中科院金属所联合团队在二维半导体领域的重要突破，针对现有二维半导体P型材料短板，研发新型制备方法，实现晶圆级单层氮化钨硅可控生长，该材料性能优异，有望为后摩尔时代我国芯片技术自主可控提供关键支撑，相关成果已发表于国际顶级期刊。
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